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漏源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

300

导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

360

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

11

驱动电压(V)：

10

通道极性：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-220-3/-55~125

描述：

650V，360mΩ，11A，N沟道基于超级结（jié）技术的功（gōng）率（lǜ）MOSFET



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