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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

140

最大漏极电流Id(on)(A)：

25

通道（dào）极（jí）性：

N沟（gōu）道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述（shù）：

550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET


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