九游平台-九游(中国)一站式服务平台



漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

530

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

580

最大（dà）漏（lòu）极（jí）电流（liú）Id(on)(A)：

8

通道（dào）极（jí）性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述（shù）：

550V,580mΩ,8A,N沟道（dào）基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


九游平台-九游(中国)一站式服务平台

九游平台-九游(中国)一站式服务平台