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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

900

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

1100

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

5

通道极性：

N沟（gōu）道

封装/温度(℃)：

TO-251-3L(IPAK)/-55~125

描述：

700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超级结（jié）技术（shù）的功（gōng）率MOSFET


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