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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

250

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

280

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

15

驱（qū）动电压(V)：

10

通（tōng）道极（jí）性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-220-3L/-55~125

描述：

650V,280mΩ,15A,N沟道基于超级（jí）结（jié）技（jì）术的功率（lǜ）MOSFET


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